欧泰克L-385-PE25投影掩膜光刻机系统，专为微米级图案制作而设计。
设备采用TI .47’’ 4K DLP紫外光学引擎，输出图像物理分辨可达到3840×2160。可实现针对预设图案无需制作掩模版，快速投影实现精度20um的无掩膜套刻。也可以通过物理掩膜实现2um精度光刻。曝光全过程可全程视频监测跟随，并配备电子测量系统，可实时测量结构尺寸。
该光刻机广泛适用于微流控芯片、MEMS器件、光电子器件以及声表面波器件等制备领域。其性能尤其适合高校、科研院所以及企业展开微细加工工艺研究。
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OTKL-385-PE25投影掩膜光刻系统 |
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掩膜方式 |
投影 |
监测系统像素 |
3800万 |
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曝光光源 |
紫外LED |
监测系统电子变倍 |
33-270倍 |
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光源波长 |
385nm/405nm |
自然补光系统 |
黄光 |
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曝光面积 |
96mm×54mm |
功率 |
500W |
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曝光方式 |
单面接触式定时曝光 |
操作系统 |
Win10 |
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曝光分辨率 |
20um(无掩膜套刻) 2um(掩膜) |
工作环境 |
温度0℃-40 ℃，相对湿度＜80 % |
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曝光强度 |
44mW/cm2可调 |
电源输入 |
AC220V±10V，50HZ |
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曝光不均匀性 |
≤5% |
尺寸 |
1200×750×2000mm |
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图像畸变 |
0.1% |
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图像物理分辨率 |
3840×2160 |
重量 |
50kg |
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苏州工业园区仁爱路99号D115室
